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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12503
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| Title: | 以砷化銦鎵做活性層對850 nm面射型半導體雷射性能的影響 |
| Authors: | 張郁妮;郭艷光;黃滿芳 |
| Contributors: | 物理學系 |
| Keywords: | 面射型雷射;VCSEL;AlGaAs;InGaAs;活性層;量子井;DBR |
| Date: | 2001
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| Issue Date: | 2012-07-19T01:47:59Z
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| Abstract: | 本文主要是以數值模擬的方式，來探討以In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As做為850 nm面射型半導體雷射(VCSEL)的活性層對雷射性能的影響，我們使用相同材料的DBR及spacer，單純比較In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As與GaAs/Al0.35Ga0.65As這兩種不同活性層與雷射性能間的關係，結果發現以In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As做為活性層的雷射性能明顯優於傳統以GaAs/Al0.35Ga0.65As做為活性層的雷射。 |
| Relation: | 2001年台灣光電科技研討會, paper P28, OPT’01 Proceedings: 956-958 |
| Appears in Collections: | [物理學系] 會議論文
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