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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12503

Title: 以砷化銦鎵做活性層對850 nm面射型半導體雷射性能的影響
Authors: 張郁妮;郭艷光;黃滿芳
Contributors: 物理學系
Keywords: 面射型雷射;VCSEL;AlGaAs;InGaAs;活性層;量子井;DBR
Date: 2001
Issue Date: 2012-07-19T01:47:59Z
Abstract: 本文主要是以數值模擬的方式,來探討以In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As做為850 nm面射型半導體雷射(VCSEL)的活性層對雷射性能的影響,我們使用相同材料的DBR及spacer,單純比較In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As與GaAs/Al0.35Ga0.65As這兩種不同活性層與雷射性能間的關係,結果發現以In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As做為活性層的雷射性能明顯優於傳統以GaAs/Al0.35Ga0.65As做為活性層的雷射。
Relation: 2001年台灣光電科技研討會, paper P28, OPT’01 Proceedings: 956-958
Appears in Collections:[物理學系] 會議論文

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