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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12508

Title: III-Ⅴ族氮化鋁銦之能帶結構探討
Authors: 林文偉;郭艷光
Contributors: 物理學系
Keywords: AlInN;Bowing parameter;Theoretical simulation;Band-gap energy;Lattice constant
Date: 2001
Issue Date: 2012-07-19T01:48:05Z
Abstract: Ⅲ-nitride在最近已被廣泛的研究與應用在藍光的發光元件,但是目前多數人所著重的是在三元的InGaN與AlGaN,另一三元化合物AlInN卻較少受到注意。其實AlInN的發光波長範圍也就是其能帶間隙能夠有很大的調變性,晶格同樣也具有較廣範圍,所以也能與元件有較好的晶格匹配。因此我們採用理論的模擬軟體來計算一些原始的材料特性,將材料由最原始的原子排列組成,進而算出AlxIn1-xN相對的band-gap energy 及bowing parameter (b)值。我們的模擬結果顯示:理論上wurtzite晶格的本質性 AlxIn1-xN (0≦x≦1)材料有很明顯的bowing現象,其bowing parameter值為:b = 3.326 (eV)。
Relation: 2001年台灣光電科技研討會, paper P2, OPT’01 Proceedings: 868-871
Appears in Collections:[物理學系] 會議論文

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