資料載入中.....
|
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12563
|
題名: | 415 nm紫光氮化銦鎵量子井雷射電子溢流特性之探討 |
作者: | 張詒安;陳秀芬;謝尚衛;吳佩璇;蔡孟倫;張誌原;郭艷光;劉柏挺 |
貢獻者: | 物理學系 |
日期: | 2002
|
上傳時間: | 2012-07-19T01:49:23Z
|
摘要: | 氮化物半導體在發光二極體與雷射二極體,都有極為重要的應用。由於氮化銦鎵之異質介面的band-offset ratio比起磷化物與砷化物要來得低,因此其電子溢流的問題較為嚴重。本篇文章針對氮化銦鎵材料設計一個側射型的量子井雷射結構,並詳細探討其雷射性能。在電子溢流方面,研究結果顯示,於活性層靠近p-type處加入一層AlGaN阻礙層,可以有效減輕電子溢流對雷射性能的影響。另一方面,適當地提高p-type摻雜濃度也可以有效降低元件之Vf值。 |
關聯: | 2002年台灣光電科技研討會, paper TA1-3, OPT’02 Proceedings I: 7-9 |
顯示於類別: | [物理學系] 會議論文
|
文件中的檔案:
檔案 |
大小 | 格式 | 瀏覽次數 |
index.html | 0Kb | HTML | 667 | 檢視/開啟 |
|
在NCUEIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
|