National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/14003
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题名: Effect of Doping Ratio on Device Characteristics of Double δ-doped In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs
作者: Wu, Jenq-Shinn;Tsen, J. H.
贡献者: 電子工程學系
日期: 2007
上传时间: 2012-09-10T02:36:09Z
關聯: International Electron Devices and Material Symposia
显示于类别:[電子工程學系] 會議論文

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