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Item 987654321/17450
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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17450
題名:
Comment on “Threshold Voltage Control of Oxide Nanowire Transistors using Nitrogen Plasma Treatment” [ Appl. Phys. Lett. 97, 203508 (2010) ]
作者:
Lin, Yow-Jon
;
Tsai, Chia-Lung
貢獻者:
光電科技研究所
關鍵詞:
Nanowires
;
Plasma materials processing
;
Semiconductor materials
;
Tin compounds
;
Transistors
日期:
2011-04
上傳時間:
2013-10-02T08:37:25Z
出版者:
American Institute of Physics
關聯:
Applied Physics Letters, 98(17): 176101
顯示於類別:
[光電科技研究所] 期刊論文
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